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El '''siliceno''' es un [[Alotropía|alótropo]] bidimensional del [[silicio]], similar al [[grafeno]].

== Historia ==
Aunque los teóricos han especulado<ref name="Takeda1994a">{{cita publicación |autor = Kyozaburo Takeda and Kenji Shiraishi |título = Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite |doi=10.1103/PhysRevB.50.14916 |publicación = Physical Review B |volumen = 50 |página = 14916 |año = 1994 |número = 20}}</ref><ref name="GuzmanVerri2007a">{{cita publicación |autor = G. G. Guzman-Verri and L. C. Lew Yan Voon |título = Electronic structure of silicon-based nanostructures |doi=10.1103/PhysRevB.76.075131 |publicación = Physical Review B |volumen = 76 |página = 075131 |año = 2007 |número = 7}}</ref><ref name="Cahangirov2009a">{{cita publicación |autor = Cahangirov, Topsakal, Akturk, Sahin and Ciraci |título = Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium |doi=10.1103/PhysRevLett.102.236804 |publicación = Physical Review Letters |volumen = 102 |página = 236804 |año = 2009 |bibcode=2009PhRvL.102w6804C |número = 23}}</ref> sobre la existencia y las posibles propiedades del siliceno, los investigadores observaron primero estructuras de silicio que sugerían al siliceno en 2010.<ref name="Aufray2010a">{{cita publicación |autor = B. Aufray, A. Kara, S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Léandri, B. Ealet and G. Le Lay |título = Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene |doi= |publicación = Applied Physics Letters |volumen = 96 |página = 183102 |año = 2010}}</ref><ref name="NNano2010a">{{cita publicación |autor = Research highlight |título = Silicene: Flatter silicon |doi=10.1038/nnano.2010.124 |publicación = Nature Nanotechnology |volumen = 5 |página = 384 |año = 2010}}</ref><ref name="Lalmi2010a">{{cita publicación |autor = B. Lalmi, H. Oughaddou, H. Enriquez, A. Kara, S. Vizzini, B. Ealet and B. Aufray |título = Epitaxial growth of a silicene sheet |doi= |publicación = Applied Physics Letters |volumen = 97 |página = 223109 |año = 2010}}</ref><ref>{{cite journal|last1=Garcia|first1=J. C.|last2=de Lima|first2=D. B.|last3=Assali|first3=L. V. C.|last4=Justo|first4=J. F.|title=Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets|journal=J. Phys. Chem. C|date=2011|volume=115| page=13242-13246|doi=10.1021/jp203657w}}</ref>  
Usando el [[microscopio de efecto túnel]], estudiaron el [[autoensamblaje molecular]] de las nanocintas de siliceno y las hojas de siliceno depositadas sobre un cristal de plata con resolución atómica. Las imágenes revelaron [[hexágono]]s en una [[estructura de panal]] similar a la del grafeno.

Los cálculos con la [[Teoría del funcional de la densidad]] (DFT) mostraron que los átomos de silicio tienden a formar tales estructuras de panal en la plata, y a adoptar una ligera curvatura que la hace más apropiada para una configuración tipo grafeno.

En adición a su potencial compatibilidad con las técnicas existentes de semiconductores, el siliceno tiene la ventaja de que sus bordes no exhiben reactividad al oxígeno.<ref name="DePadova2010a">{{cita publicación |autor = P. De Padova, C. Léandri, S. Vizzini, C. Quaresima, P. Perfetti, B. Olivieri, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay |título = Burning Match Oxidation Process of Silicon Nanowires Screened at the Atomic Scale |doi= |publicación = NanoLetters |volumen = 8 |página = 2299 |año = 2008}}</ref>

[[Archivo:Silicene Cluster.jpg|thumb|Estructura de un típico grupo de siliceno mostrando ondas alrededor de la superficie.]]

Recientes cálculos DFT han revelado que los grupos (clústers) de siliceno son excelentes materiales para aplicaciones [[Transistor de efecto campo|FET]]. Curiosamente, el siliceno en 2D no es realmente plano y parecen haber distorsiones como arrugas tipo silla distortions en los anillos. Esto lleva a tener ondas ordenadas en su superficie. La hidrogenación de silicenos a silicanos es bastante exotérmica. Esto ha llevado a la predicción de que el proceso de conversión del siliceno al silicane (siliceno hidrogenado) puede ser un eventual candidato para el [[almacenamiento de hidrógeno]]. A diferencia del [[grafito]], el cual consiste de varias capas de grafeno débilmente unidas mediante fuerzas de dispersión, el acople entre capas en los silicenos es muy fuerte.<ref name="Datta Aa">{{cita publicación |autor = Deepthi Jose, Ayan Datta |título = Structures and Electronic Properties of Silicene clusters: A promising material for FET and hydrogen storage |doi= |publicación = Phys. Chem. Chem. Phys. |volumen = 13 |página = 7304 |año = 2011}}</ref>

La primera revisión sobre el siliceno ha aparecido.<ref name="Kara Aa">{{cita publicación |autor = Abdelkader Kara, Hanna
Enriquez, Ari P Seitsonen, LC Lew Yan Voon, Sébastien Vizzini, Bernard Aufray, Hamid Oughaddou |título = A review on silicene - New candidate for electronics |doi=10.1016/j.surfrep.2011.10.001 |publicación = Surf. Sci. Rep. |volumen = 67 |página = 1 |año = 2012}}</ref>

== Estructura Química ==
Presenta una estructura sólida de panel de abeja y cuya disposición de los átomos en el espacio llega a brindar mayor actividad química, exponiendo una [[conductividad térmica]] entre 9.4 W/mk a 300K en su [[monocapa]], a su vez presenta una hibridación sp2, con sus [[Átomo|átomos]] enlazados mediante [[Enlace covalente|enlaces covalentes]].<ref name=":0">{{Cita publicación|url=http://dspace.espoch.edu.ec/bitstream/123456789/8605/1/86T00064.pdf|título=Estudio de Nano Cintas de Siliceno Dopadas con Hidrogeno para Determinar las Respuestas Ópticas
y Plasmonicas en la Frecuencia de Terahertz A Uvvis|apellidos=Ureña Callay|nombre=Gabriela Belen|fecha=2018|publicación=Escuela Superior Politécnica de Chimborazo|fechaacceso=18/10/2022}}</ref>

De hecho, por su estructura bidimensional, mediante la teoría del funcional de la densidad revela tres configuraciones;

* Red plana<ref name=":0" />
* Red no plana con bajo grado de deformación, muy estable, presentando un arrugamiento con tres átomos del hexágono en un plano superior y tres en el plano inferior, muestra cambio en las bandas de valencias que corresponde a los electrones S, PX, PY, debido a la unión entre los átomos.<ref name=":1">{{Cita libro|título=Transversalidad cientifica y tecnologica|url=https://www.researchgate.net/profile/Jesus-Reyna-Fuentes/publication/349949728_SITUACION_ACTUAL_DE_LAS_EMPRESAS_APICOLAS_EN_TAMAULIPAS_MEXICO/links/6048de0d45851543166b5d12/SITUACION-ACTUAL-DE-LAS-EMPRESAS-APICOLAS-EN-TAMAULIPAS-MEXICO.pdf|fechaacceso=18/10/2022|año=2020|editorial=Academia Tamaulipeca de investigacion cientifica y tecnologica A.C.}}</ref><ref name=":0" />
* Red no plana con alto grado de deformación, no es estable (<math>\vartriangle</math> =0), por lo tanto presenta una brecha de energía de 0eV, sin cambios importantes en la [[banda de valencia]] que corresponde a los electrones Pz.<ref name=":1" /><ref name=":0" />

== Progreso reciente ==

Se reportó que el siliceno crecía en la superficie de Ag(111).<ref name="Lalmi2010a" /> Recientemente cuatro grupos han reportado de manera independiente fases ordenadas sobre la misma superficie.<ref name="Lin_2012a">{{cita publicación |autor = Chun-Liang Lin, Ryuichi Arafune, Kazuaki Kawahara, Noriyuki Tsukahara, Emi Minamitani, Yousoo Kim, Noriaki Takagi and Maki Kawai |publicación = Appl. Phys. Expr. |página = 045802 |año = 2012 |título = "Structure of silicene grown on Ag(111)" }}</ref><ref name="Vogt_2012a">{{cita publicación |autor = Patrick Vogt, Paola De Padova, Claudio Quaresima, Jose Avila, Emmanouil Frantzeskakis, Maria Carmen Asensio, Andrea Resta, Benedicte Ealet and Guy Le Lay |publicación = Phys. Rev. Lett. |página = 155501 |año = 2012 |título = "Silicene: Compelling experimental evidence for graphenelike two-dimensional silicon" |doi=10.1103/PhysRevLett.108.155501 }}</ref><ref name="Aufray_2012a">{{cita publicación |autor = H Jamgoitcha, Y Colignon, N Hamzaoui, B Ealet, J Y Hoarau, B Aufray and J P Biberian |título = Growth of silicene layers on Ag(111): unexpected effect of the substrate temperature |publicación = arXiv |página = 1203.3968 |año = 2012}}</ref><ref name="Feng_2012a">{{cita publicación |autor = Baojie Feng, Zijing Ding, Sheng Meng, Yugui Yao, Xiaoyue He, Peng Cheng, Lan Chen and Kehui Wu |publicación = arXiv |página = 1203.2745 }}</ref> 

Sin embargo, el silíceno no se puede sintetizar en estado libre, existe si se lo prepara sobre un soporte metálico o [[semiconductor]], como lo presenta los científicos de la Universidad de Marcella por medio de técnicas de deposición de vapor, produciendo láminas de silíceno y nanocintas en superficies de [[Plata|Ag]] (111) y Ag (110).<ref>{{Cita publicación|url=http://bsqm.org.mx/pdf-boletines/V11/V11N1/3Hoffmann_BSQ11-1.pdf|título=Pequeñas pero potentes lecciones de Química a la Nanociencia
(Parte I)|apellidos=Hoffmann|nombre=Roald|fecha=2013|publicación=Boletín de la Sociedad Química de México|fechaacceso=18/10/2022}}</ref><ref>{{Cita publicación|url=https://repositorio.unb.br/handle/10482/16469|título=Estrutura Eletrônica e Propriedades de
Transporte Quântico em Nanoestruturas de
Grafeno e Siliceno|apellidos=Huamaní Correa|nombre=Jorge Luis|fecha=2014|publicación=Universidade de Brasilia – UnB
Instituto de Física|fechaacceso=18/10/2022}}</ref>

En esta perspectiva, el silíceno ofrece novedosas ventajas al mundo de la informática, a pesar de que no surge de manera natural sino que, hay que fabricarlo artificialmente en un laboratorio.<ref>{{Cita web|url=https://www.xataka.com/investigacion/el-siliceno-podria-ser-el-secreto-de-procesadores-aun-mas-potentes|título=El siliceno podría ser el secreto de procesadores aún más potentes}}</ref> De tal manera, su utilización permite dispositivos nanos electrónicos, más flexibles, resistentes y económicos, siendo uno de los candidatos para la alta eficiencia de los materiales termoeléctricos.<ref name=":02">{{Cita publicación|url=http://dspace.espoch.edu.ec/bitstream/123456789/8605/1/86T00064.pdf|título=Estudio de Nano cintas de Siliceno dopadas con Hidrogeno para determinar las respuestas opticas y plasmonicas en la frecuencia de Terahertz Uvvis|apellidos=Ureña Callay|nombre=Gabriela Belen|fecha=2018|publicación=Escuela superior politecnica de Chimboro|fechaacceso=18/10/2022}}</ref>

Actualmente, se utiliza en la creación de chips, exhibiendo mayor velocidad, con grandes capacidades y tamaño disminuido.<ref name=":02" />

También se ha reportado que el siliceno crece sobre un sustrato de [[Diboruro de circonio|ZrB<sub>2</sub>]].<ref name="Fleurence2011a">{{cita publicación |autor = A. Fleurence, R. Friedlein, Y. Wang and Y. Yamada-Takamura |título = Experimental evidence for silicene on ZrB<sub>2</sub>(0001) |publicación = Symposium on Surface and Nano Science 2011 (SSNS'11)，Shizukuishi, Japan，2011.01.21}}</ref><ref name="Fleurence2012a">{{cita publicación |autor = Antoine Fleurence, Rainer Friedlein, Taisuke Ozaki, Hiroyuki Kawai, Ying 
Wang and Yukiko Yamada-Takamura |título = Experimental evidence for epitaxial silicene on diboride thin films |publicación = Physical Review Letters |página = accepted for publication |año = 2012}}</ref>

Otras referencias:
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<ref name="Lebegue2009a">{{cita publicación |autor = S. Lebegue et al |título = Electronic structures of two-dimensional crystals from ab initio theory |publicación = Physical Review B |volumen = 79 |página = 115409 |año = 2009 | doi = 10.1103/PhysRevB.79.115409 | bibcode = 2009PhRvB..79k5409L}}</ref>
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<ref name="DeCrescenzi2005a">{{cita publicación |autor = M. De Crescenzi et al. |título = Experimental imaging of silicon nanotubes |doi= |publicación = Applied Physics Letters |volumen = 86 |página = 231901 |año = 2005}}</ref>
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<ref name="Kara2009a">{{cita publicación |autor = A. Kara, C. Léandri, M. E. Dávila, P. De Padova, B. Ealet, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay |título = Physics of Silicene Stripes |doi= |publicación = J. Supercond. Novel Magn. |volumen = 22 |página = 259 |año = 2009}}</ref>
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<ref name="Kara2010a">{{cita publicación |autor = A. Kara, S. Vizzini, C. Leandri, B. Ealet, H. Oughaddou , B. Aufray and G. LeLay |título = Silicon nano-ribbons on Ag(110): a computational investigation |doi= |publicación = Journal of Physics: Condensed Matter |volumen = 22 |página = 045004 |año = 2010}}</ref>
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<ref name="DePadova2010b">{{cita publicación |autor = P. De Padova, C. Quaresima, C. Ottaviani, P. M. Sheverdyaeva, P. Moras, C. Carbone, D. Topwal, B. Olivieri, A. Kara, H. Oughaddou, B. Aufray and G. Le Lay |título = Evidence of graphene-like electronic signature in silicene nanoribbons |doi=10.1063/1.3459143 |publicación = Applied Physics Letters |volumen = 96 |página = 261905 |año = 2010 |número = 26}}</ref>
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<ref name="Houssa2010a">{{cita publicación |autor = |título = Can silicon behave like graphene? A first-principles study |doi=10.1063/1.3489937 |publicación = Applied Physics Letters |volumen = 97 |página = 112106 |año = 2010 |last1 = Houssa |first1 = M. |last2 = Pourtois |first2 = G. |last3 = Afanas’Ev |first3 = V. V. |last4 = Stesmans |first4 = A. |número = 11 }}</ref>
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<ref name="DePadova2011a">{{cita publicación |autor = |título = Strong resistance of silicene nanoribbons towards oxidation |doi=10.1088/0022-3727/44/31/312001 |publicación = Journal of Physics D - Applied Physics |volumen = 44 |página = 312001 |año = 2011 |last1 = De Padova |first1 = Paola |last2 = Quaresima |first2 = Claudio |last3 = Olivieri |first3 = Bruno |last4 = Perfetti |first4 = Paolo |last5 = Le Lay |first5 = Guy |número = 31 }}</ref>
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<ref name="DePadova2011b">{{cita publicación |autor = |título = sp<sup>2</sup>-like hybridisation of silicon valence orbitals in silicene nanoribbons |doi=10.1063/1.3557073 |publicación = Applied Physics Letters |volumen = 98 |página = 081909 |año = 2011 |last1 = De Padova |first1 = Paola |last2 = Quaresima |first2 = Claudio |last3 = Olivieri |first3 = Bruno |last4 = Perfetti |first4 = Paolo |last5 = Le Lay |first5 = Guy |número = 8 }}</ref>

== Véase también ==
* [[Grafeno]]

== Referencias ==
{{listaref|2}}

== Enlaces externos ==
{{traducido ref|en|Silicene|490119285}}

{{Control de autoridades}}
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[[Categoría:Nanotecnología]]
[[Categoría:Silicio]]
[[Categoría:Grafeno]]
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